功率半导体器件专利登记公告

专利名称：功率半导体器件

摘要：本发明涉及功率半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的垂直功率半导体芯片。第一端子在半导体层的第一侧处并且第二端子在半导体层的、沿着第一方向与第一侧相对的第二侧处。漂移区在第一端子和第二端子之间的半导体层内。该漂移区在中央部分中具有沿着垂直于第一方向的第二方向的至少100MPa的压应力。该中央部分沿着第一方向从漂移区的总体延伸部的40%延伸到60%并且相对于半导体层的第一侧和第二侧中的至少一个进入半导体层的至少10μm的深度中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069939.4

专利申请（专利权）人：英飞凌科技奥地利有限公司

专利发明（设计）人：J.赫格劳尔;R.奥特伦巴;R.保罗

主权项：一种半导体器件，包括：包括半导体层的垂直功率半导体芯片；在所述半导体层的第一侧处的第一端子；在所述半导体层的、沿着第一方向与所述第一侧相对的第二侧处的第二端子；和在所述第一端子和所述第二端子之间的所述半导体层内的漂移区，所述漂移区在中央部分中具有沿着垂直于所述第一方向的第二方向的至少100MPa的压应力，所述中央部分沿着所述第一方向从所述漂移区的总体延伸部的40%延伸到60%并且相对于所述半导体层的所述第一侧和所述第二侧中的至少一个进入所述半导体层的至少10μm的深度中。

专利地区：奥地利