一种用于GaN基LED外延片的纳米结构层及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种用于GaN基LED外延片的纳米结构层及其制备方法
摘要：本发明提供一种用于GaN基LED外延片的纳米结构层，包括位于外延片表面的与外延片发生能量耦合的Ag膜，所述Ag膜由多个球形Ag纳米颗粒构成，其特征在于，在所述Ag纳米颗粒的外表面包覆有SiO2膜。采用化学方法合成金属-介质核壳结构的纳米颗粒，将金属-介质核壳结构球形纳米颗粒自组装到InGaN/GaN?LED外延片表面，在满足表面等离激元相位匹配的条件下，通过局域表面等离激元与量子阱的共振耦合将能量转移到表面等离激元模式，形成有效辐射，增加光的输出，提高了LED外量子效率。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110057887.4
专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
专利发明（设计）人：李敬;徐红星
主权项：一种用于GaN基LED外延片的纳米结构层，包括位于外延片表面的与外延片发生能量耦合的Ag膜，所述Ag膜由多个球形Ag纳米颗粒构成，其特征在于，在所述Ag纳米颗粒的外表面包覆有SiO2膜。
专利地区：北京
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