一种有机场效应晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种有机场效应晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中所述栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极均位于所述绝缘衬底之上，并处于同一平面。本发明同时公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法。利用本发明，栅电极、源电极、漏电极、栅介质层和有机半导体层处于同一平面，通过将电极设计到同一平面上，避免了高分辨率电极制备过程中对有机半导体的损伤，从而能有效提高器件的良率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110058194.7

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;其他发明人请求不公开姓名

主权项：一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，该结构包括绝缘衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中所述栅电极、栅介质层、有机半导体层、源电极和漏电极均位于所述绝缘衬底之上，并处于同一平面。

专利地区：北京