一种有机场效应晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种有机场效应晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管结构，包括：绝缘衬底；形成于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的第一类栅介质层；形成于该第一类栅介质层表面沟道区域两侧的源漏电极；以及形成于该源漏电极之间沟道区域之上的堆叠结构。该结构能够在不增加器件面积的前提下有效地增加器件的沟道数量，形成多沟道器件，从而增加器件的驱动能力，为制备高密度的有机电路提供一种可行的思路。同时本发明还公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110057566.4

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；形成于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的第一类栅介质层；形成于该第一类栅介质层表面沟道区域两侧的源漏电极；以及形成于该源漏电极之间沟道区域之上的堆叠结构。

专利地区：北京