一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料专利登记公告

专利名称：一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料

摘要：本发明涉及一种用于低操作电流相变存储器的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料。本发明的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。基于本发明Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的相变存储器具有操作电流极低的优势，同时对数据的保持能力较强，可用于低操作电流相变存储器。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210158661.8

专利申请（专利权）人：同济大学

专利发明（设计）人：沈波;孙明成;翟继卫

主权项：一种Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构；单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。

专利地区：上海