一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法专利登记公告

专利名称：一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法

摘要：本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储

专利类型：发明专利

专利号：CN201210104120.7

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：黄如;杨庚雨;张耀凯;陈诚;潘越;蔡一茂;谭胜虎;唐昱;黄英龙;毛俊;白文亮

主权项：一种多值阻变存储器，适用于神经阻变存储器，其特征在于，所述值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n?1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置阻变存储器，并由端口ln1和lnn+1连接至设置阻变存储器或者计算阻变存储器，所述多值阻变存储器的串联为立体结构或平面结构，其中n为自然数，且n≥2。

专利地区：北京