集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法专利登记公告

专利名称：集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法

摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错开的孔洞，露出一部分钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸，且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置，增强器件的均一性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066088.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦;王艳花;牛洁斌

主权项：一种集成标准CMOS工艺制备电阻存储器的方法，其特征在于，该方法包括：采用标准CMOS工艺形成钨栓塞；在钨栓塞上依次形成盖帽层、第一介质层和刻蚀阻挡层；在第一介质层中需要形成存储器的位置制作出孔洞，此孔洞仅暴露出部分钨栓塞；在孔洞中生长金属氧化物存储介质；在孔洞中金属氧化物之上生长上电极；在孔洞中再依次沉积扩散阻挡层、仔晶铜和电镀铜；采用化学机械抛光方法去除多余的上电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜和电镀铜，形成位于所述的第一介质层孔洞中的存储结构；采用常规的大马士革铜互连工艺进行后续步骤，完成电阻存储器的制备

专利地区：北京