一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法专利登记公告

专利名称：一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法

摘要：本发明提供了一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法，包括以下步骤：在基底上制备所述磁敏感薄膜；分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场；在所述磁敏感薄膜表面制备电极及导线，形成磁传感芯片；在所述磁传感芯片表面沉积保护层；将所述带有保护层的磁传感芯片基底分离获得磁传感芯片。该方法可以用于提高各向异性磁电阻、巨磁电阻、隧道磁电阻等磁传感芯片的灵敏度。所述磁传感芯片涉及微米纳米薄膜制备、磁性材料物理、微电子技术、传感技术等众多的学科领域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110058477.1

专利申请（专利权）人：曲炳郡

专利发明（设计）人：曲炳郡;熊伟

主权项：磁传感芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上制备磁敏感薄膜；通过分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场；在所述磁敏感薄膜表面制备电极及导线，形成磁传感芯片；在所述磁传感芯片表面沉积保护层；将所述带有保护层的磁传感芯片基底分离获得独立的磁传感芯片。

专利地区：北京