单极阻变存储器及其制造方法专利登记公告

专利名称：单极阻变存储器及其制造方法

摘要：一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110062624.2

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：康晋锋;张飞飞;陈沅沙;陈冰;高滨;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦

主权项：一种单极阻变存储器，所述单极阻变存储器包括：衬底；位于所述衬底上的底电极，其由导电材料形成；顶电极，其由储氧能力弱的导电材料形成；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；其特征在于：在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。

专利地区：北京