一种制备有机场效应晶体管结构的方法专利登记公告

专利名称：一种制备有机场效应晶体管结构的方法

摘要：本发明公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法，包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面进行修饰；在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜，完成器件的制备。本发明能够在金属电极表面和栅介质层表面同时自组织生长一层单分子层薄膜，改进器件的接触界面和沟道界面，从而制备出高迁移率的器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110057488.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种制备有机场效应晶体管结构的方法，其特征在于，该方法包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面进行修饰；在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜，完成器件的制备。

专利地区：北京