一种制备有机场效应晶体管结构的方法专利登记公告

专利名称：一种制备有机场效应晶体管结构的方法

摘要：本发明公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法，该方法包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面进行修饰；在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜，完成器件的制备。利用本发明，改进有机半导体与源、漏电极之间接触界面和有机半导体与栅介质之间的沟道界面，提高有机半导体薄膜在栅介质表面和电极表面的生长质量，获得有序均一的大晶粒薄膜，进一步提高器件的迁移率和注入效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110058195.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：商立伟;姬濯宇;刘明

主权项：一种制备有机场效应晶体管结构的方法，其特征在于，该方法包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面进行修饰；在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜，完成器件的制备。

专利地区：北京