一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法专利登记公告

专利名称：一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法

摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其中，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。本发明所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法与现有技术相比，能够进一步减少构图工艺次数，即只需采用四次构图工艺，因而提高了生产效率，降低了生产成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088843.2

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：张学辉;薛建设;刘翔

主权项：一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其特征在于，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。

专利地区：北京