发光二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：发光二极管及其制造方法

摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括基板、第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、p型电极及n型电极。第二n型氮化镓层具有一个远离基板的顶面，该顶面包括一个第一区域及一个第二区域，发光层、p型氮化镓层和p型电极依次形成于所述第一区域上，所述n型电极形成在所述第二区域上。所述发光二极管还具有多个依次贯穿所述p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层的盲孔。所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且该底面环绕每个盲孔形成一粗化环形裸露区。本发明还涉及一种发光二极管

专利类型：发明专利

专利号：CN201110059205.3

专利申请（专利权）人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：洪梓健;沈佳辉

主权项：一种发光二极管，其包括基板、第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、p型电极及n型电极，所述第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层依次形成于所述基板上，所述第二n型氮化镓层具有一个远离基板的顶面，该顶面包括一个第一区域及一个第二区域，所述发光层、p型氮化镓层和p型电极依次形成于所述第一区域上，所述n型电极形成在所述第二区域上，所述发光二极管还具有多个依次贯穿所述p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层的盲孔，所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且

专利地区：广东