半导体发光芯片及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体发光芯片及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一型束缚层、发光层及第二型束缚层，该基板与该发光结构层之间还设置有缓冲层及覆盖层，该缓冲层包含有沿该基板延伸方向形成的碳纳米管结构，该碳纳米管结构中包含有同轴氮化物半导体，该覆盖层设置在该基板上且覆盖该缓冲层。本发明还提供一种制造该半导体发光芯片的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110063071.2

专利申请（专利权）人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

专利发明（设计）人：曾坚信

主权项：一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一型束缚层、发光层及第二型束缚层，其特征在于：该基板与该发光结构层之间还设置有缓冲层及覆盖层，该缓冲层包含有沿该基板延伸方向形成的碳纳米管结构，该碳纳米管结构中包含有同轴氮化物半导体，该覆盖层设置在该基板上且覆盖该缓冲层。

专利地区：广东