发光二极管结构专利登记公告

专利名称：发光二极管结构

摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是设置复数个第一金属导线于一第一半导体层，一主动层设于部分第一半导体层，一第二半导体层设于主动层，主动层与第二半导体层具有复数个凹槽，第一金属导线分别位于复数个凹槽内，复数个绝缘层覆盖第一金属导线与第一半导体层，一透明导电层设于第二半导体层，并覆盖于复数个绝缘层，复数个第二金属导线设于透明导电层，第二金属导线对应第二半导体层。通过第一金属导线与第二金属导线以将发光二极管的电流平均分布，并且藉由绝缘层以避免电流集中于第一金属导线与第二金属导线之间，而透明导电层为连续式覆盖于第

专利类型：发明专利

专利号：CN201110064946.0

专利申请（专利权）人：新世纪光电股份有限公司

专利发明（设计）人：赖育弘

主权项：一种发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板；一第一半导体层，设于该基板上方；一主动层，设于该第一半导体层上方，并裸露部分的该第一半导体层；一第二半导体层，设于该主动层上方，该主动层及该第二半导体层具有复数个凹槽；复数个第一金属导线，设于该第一半导体层上方，该些第一金属导线分别位于该些凹槽内；复数个绝缘层，设于该些凹槽内，并覆盖该些第一金属导线及该第一半导体层；一透明导电层，设于该第二半导体层上方并覆盖该些绝缘层；以及复数个第二金属导线，设于该透明导电层的上方，并对应该第二半导体层。

专利地区：台湾