一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法专利登记公告

专利名称：一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法

摘要：本发明提供了一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤：1）在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa；2）惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液；3）将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。本发明提供的方法通过将金属预置层与熔融的Se和/或S接触，提高硒化和/或硫化的转化率；另外，该方法无需在真空下进行，对设备要求低，操作简单，成本也相对较低，适于工业化生

专利类型：发明专利

专利号：CN201110064198.6

专利申请（专利权）人：比亚迪股份有限公司

专利发明（设计）人：钟北军;曹文玉;周勇

主权项：一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法，包括以下步骤：1）在太阳能电池阴极基底上形成金属预置层，所述金属预置层为CuIn、CuGa或CuInGa；2）惰性气氛下将Se和/或S熔融，形成熔融液；3）将形成有金属预置层的太阳能电池阴极基底浸入熔融液中，进行硒化和/或硫化反应，反应完成后即在太阳能电池阴极基底上形成所述光吸收层。

专利地区：广东