一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法专利登记公告

专利名称：一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法

摘要：本发明公开了一种复合牺牲层制作红外探测器的方法，在CMOS硅衬底上依次完成金属层、第一层牺牲层聚酰亚胺、第二层牺牲层非晶硅、通过对牺牲层图形化形成的通孔；层叠制作结构层、通过图形化形成的接触孔；制作敏感层、金属电极层、释放保护层，以及对敏感层图形化、电极层图形化、和微桥结构图形化。在牺牲层释放时，首先释放第二层牺牲层，再释放第一层牺牲层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，有效地利用两种不同牺牲层的优点，既可以利用有机牺牲层对CMOS表面进行平坦化、提高与金属间的粘附性，又利用无机牺牲层控制聚

专利类型：发明专利

专利号：CN201110065880.7

专利申请（专利权）人：浙江大立科技股份有限公司

专利发明（设计）人：姜利军;池积光;钱良山;罗雯雯

主权项：一种基于复合牺牲层的红外探测器制作方法，包括以下步骤：1）在半导体衬底上制作金属层，该金属层经过图形化后,形成位于微桥主体之下的入射辐射反射层以及与下方CMOS电路至少一处的电互连；2）在所述金属层之上制作第一层牺牲层并图形化形成通孔；3）在所述第一层牺牲层之上制作第二层牺牲层,并图形化去除在步骤2）形成的通孔底部的第二层牺牲层；4）在所述第二层牺牲层之上制作结构层并通过图形化形成的通孔底部的接触孔；5）在所述结构层之上制作探测器敏感层并图形化；6）在以上步骤5）制作完成的结构之上制作金属电极层并图形化；

专利地区：浙江