一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法专利登记公告

专利名称：一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法

摘要：本发明公开了一种基于临时释放保护层的微电子机械系统表面微加工方法，特别涉及了所述方法用于非制冷红外探测器制作的方法。包括：在CMOS硅衬底上依次完成金属层、非晶硅牺牲层、第一层临时释放保护层聚酰亚胺；层叠制作敏感层、金属电极层，以及对敏感层图形化、电极层图形化、和微桥结构图形化，最后制作第二层临时释放保护层。在牺牲层释放时，首先采用XeF2对非晶硅牺牲层释放，释放完全后在利用O2等离子体去除临时释放保护层。本发明提供的红外探测器制作方法，与现有技术相比，采用的临时释放保护层在制作后期将被完全去除，不对微桥

专利类型：发明专利

专利号：CN201110066271.3

专利申请（专利权）人：浙江大立科技股份有限公司

专利发明（设计）人：姜利军;池积光;钱良山;王景道;黄河

主权项：一种微电子机械系统表面微加工制作方法，其特征在于：1）使用非晶硅作为牺牲层并使用XeF2释放；2）使用聚酰亚胺作为第一层临时释放保护层；3）使用光刻胶作为第二层临时释放保护层；4）MEMS结构至少一个表面具有容易被XeF2腐蚀的材料。

专利地区：浙江