形成栅极图案的方法以及半导体装置专利登记公告

专利名称：形成栅极图案的方法以及半导体装置

摘要：本发明涉及形成栅极图案的方法及半导体装置。栅极图案包含多个沿第一方向相互平行的、被间隙断开的栅极条，间隙位于沿基本垂直于第一方向的第二方向相互平行的多个条带区中，各条带区中存在跨过栅极条而相邻的间隙。该方法包括：提供多个沿第一方向相互平行且连续延伸的、由栅极材料条和其上的蚀刻阻挡条构成的叠层结构；通过第二光刻处理，在跨过栅极条而相邻的将形成的间隙之间留下第二抗蚀剂区；通过第二蚀刻处理，选择性去除蚀刻阻挡条；通过第三光刻处理，形成具有沿第二方向相互平行且连续延伸的多个开口的第三抗蚀剂层；通过第三蚀刻处理，形

专利类型：发明专利

专利号：CN201110064415.1

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：何其旸;张翼英

主权项：一种形成栅极图案的方法，所述栅极图案包含沿第一方向相互平行的多个栅极条，各栅极条被间隙断开，所述间隙位于沿基本垂直于第一方向的第二方向相互平行的多个条带区中，各条带区中存在跨过所述栅极条而相邻的所述间隙，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供在衬底上的沿第一方向相互平行且连续延伸的多个叠层结构，所述叠层结构由栅极材料条和其上的蚀刻阻挡条构成；在包含所述叠层结构的所述衬底上形成第二抗蚀剂层；对第二抗蚀剂层进行第二光刻处理以选择性地留下多个第二抗蚀剂区，各第二抗蚀剂区各自位于跨过所述栅极条而相邻的将形成的所述

专利地区：上海