一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法专利登记公告

专利名称：一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法

摘要：一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙，所述侧墙包含依次位于多晶硅栅极两侧的氧化硅层和氮化硅层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除部分多晶硅栅极，形成浅沟槽；去除部分宽度侧墙，增大浅沟槽开口；去除剩余多晶硅栅极，形成沟槽；向沟槽内填充满金属材料，并研磨至露出层间介质层，形成金属栅极。本发明形成的半导体器件有效防止形成的金属栅极内部产生空

专利类型：发明专利

专利号：CN201110055216.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：何永根

主权项：一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有侧墙；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与多晶硅栅极及侧墙顶部齐平；去除部分多晶硅栅极，形成浅沟槽；去除部分宽度侧墙，增大浅沟槽开口；去除剩余多晶硅栅极，形成沟槽；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。

专利地区：上海