一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法专利登记公告

专利名称：一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法

摘要：一种金属栅极及MOS晶体管形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有氧化硅层；在所述半导体衬底上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖氧化硅层及多晶硅栅极；在氮化硅层上形成层间介质层；研磨所述层间介质层至露出氮化硅层；去除预定厚度的氮化硅层；研磨所述氮化硅层至露出多晶硅栅极，使氮化硅层与多晶硅栅极和层间介质层齐平；去除多晶硅栅极及牺牲氧化层，形成沟槽；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。本发明的形成方法，可以防止金属层研磨时发生金

专利类型：发明专利

专利号：CN201110054478.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：王庆玲;陈枫

主权项：一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧具有氧化硅层；在所述半导体衬底上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖氧化硅层及多晶硅栅极；在氮化硅层上形成层间介质层；研磨所述层间介质层至露出氮化硅层；去除预定厚度的氮化硅层；研磨所述氮化硅层至露出多晶硅栅极，使氮化硅层与多晶硅栅极和层间介质层齐平；去除多晶硅栅极及牺牲氧化层至露出半导体衬底，形成沟槽；向沟槽内填充满金属层，形成金属栅极。

专利地区：上海