提高静态随机存储器写入冗余度的方法专利登记公告

专利名称：提高静态随机存储器写入冗余度的方法

摘要：本发明提供了一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法。根据本发明的提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：在采用张应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除PMOS器件区域的张应力的元素离子注入工艺步骤中，除了采用光刻胶覆盖NMOS器件之外，还采用附加的光刻胶将上拉管区域覆盖，使得元素离子不会对上拉管区域的通孔刻蚀停止层进行注入，从而保持了上拉管沟道之中的张应力。根据本发明，由于保持了上拉管沟道之中的张应力，所以降低了上拉管器件的载流子迁移率，从而增大了上拉管的等效电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210145500.5

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于包括：在采用张应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除PMOS器件区域的张应力的元素离子注入工艺步骤中，除了采用光刻胶覆盖NMOS器件之外，还采用附加的光刻胶将上拉管区域覆盖，使得元素离子不会对上拉管区域的通孔刻蚀停止层进行注入，从而保持了上拉管沟道之中的张应力。

专利地区：上海