横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要：本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法包括：在衬底中形成P阱；在P阱中形成P型重掺杂区，并且在P阱中形成N型漂移区；在P型重掺杂区中形成源极区域；在N型漂移区中形成漏极接触区；以及沉积栅极氧化物并形成多晶硅栅极。在P阱中形成N型漂移区的步骤包括：第一离子步骤，用于执行注入能量为650keV的磷注入；第二离子步骤，用于执行注入能量为450keV的磷注入；第三离子步骤，用于执行注入能量为140keV的磷注入；以及第四离子步骤，用于执行注入

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143439.0

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：刘正超

主权项：一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：在衬底中形成P阱；在P阱中形成P型重掺杂区，并且在P阱中形成N型漂移区；在P型重掺杂区中形成源极区域；在N型漂移区中形成漏极接触区；以及沉积栅极氧化物并形成多晶硅栅极；其中，在P阱中形成N型漂移区的步骤包括：第一离子步骤，用于执行注入能量为650keV的磷注入；第二离子步骤，用于执行注入能量为450keV的磷注入；第三离子步骤，用于执行注入能量为140keV的磷注入；以及第四离子步骤，用于执行注入能量为300keV的砷注入。

专利地区：上海