抑制热载流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法专利登记公告

专利名称：抑制热载流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法

摘要：本发明提供了一种抑制热载流子注入的方法、BiCMOS器件制造方法以及BiCMOS器件。根据本发明的抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。根据本发明，在形成p型的输入输出MOS晶体管或高压MOS晶体管的源漏结构的离子注入步骤中，在硼离子注入之前先进行铟离子注入，从而抑制

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143431.4

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：林益梅

主权项：一种抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法，其特征在于包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。

专利地区：上海