降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法专利登记公告

专利名称：降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法

摘要：本发明提供一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法，用于制备PMOS，先提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极一侧的半导体衬底为源极区，另一侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：步骤1，制作栅极侧墙，并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火；步骤2，移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入，并采用碳辅助注入工艺；步骤3，沉积硅化物掩模以制作新的侧墙；步骤4，形成自对准硅化物。本发明通过整碳辅助注入工艺流程中的P型重掺杂硼注入步骤和轻掺杂漏极注入步骤，避免了无法较好的扩散的问题，降低了多晶硅栅耗尽。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210136027.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法，用于制备PMOS，先提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极一侧的半导体衬底为源极区，另一侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：步骤1，制作栅极侧墙，并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火；步骤2，移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入，并采用碳辅助注入工艺；步骤3，沉积硅化物掩模以制作新的侧墙；步骤4，形成自对准硅化物。

专利地区：上海