一种离子注入阻挡层的制作方法专利登记公告

专利名称：一种离子注入阻挡层的制作方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入阻挡层的制作方法。本发明提出一种离子注入阻挡层的制作方法，通过采用非晶态碳层作为离子注入工艺的阻挡层，不仅有效的起到阻挡作用，且能干净的去除，从而避免由于阻挡层去除不干净引进的工艺缺陷，进而有效提高产品良率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210136017.0

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张文广;陈玉文

主权项：一种离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一衬底结构的上表面上沉积非晶态碳层后，继续沉积硬掩膜层覆盖所述非晶态碳层的上表面；步骤S2：采用光刻工艺，形成一部分覆盖所述硬掩膜层上表面的光阻，并以该光阻为掩膜刻蚀所述硬掩膜层至所述非晶态碳层后，去除所述光阻；步骤S3：以剩余硬掩膜层为掩膜刻蚀所述非晶态碳层至所述衬底结构后，采用湿法刻蚀工艺去除所述剩余硬掩膜层；步骤S4：以剩余非晶态碳层为阻挡层，对所述衬底结构进行离子注入工艺形成源漏区后，采用干法刻蚀工艺去除所述剩余非晶态碳层。

专利地区：上海