NP0型陶瓷电容器介质材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：NP0型陶瓷电容器介质材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相；其中，BiTi第二相占BRT主相重量的0-9％，ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12％，第二主族化合物占BRT主相重量的0-18％，第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45～70，室温介电损耗小于0.05％，在-55～150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃，室温电阻率＞1012Ω·cm，适用于工业生产，重复率高，是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110069298.8

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：王晓慧;孙常库;钟财富;李龙土;桂治轮

主权项：一种NP0型陶瓷电容器介质材料，包括BRT主相、ZnB助烧剂和第二主族化合物；所述BRT主相为钨青铜矿结构的Ba6?3x(R1yR21?y)8+2xTi18O54所示化合物，所述Ba6?3x(R1yR21?y)8+2xTi18O54中，0.5≤x≤0.7，0≤y≤1，R1和R2均选自La、Eu、Sm、Nd、Pr、Ce和Dy中的至少一种；所述ZnB助烧剂为(ZnO)·(B2O3)n所示化合物，所述(ZnO)·(B2O3)n中，0.7≤n≤0.9；所述第二主族化合物选自SrCO3、SrNO3、CaO、CaCO

专利地区：北京