一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法专利登记公告

专利名称：一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法

摘要：本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域，具体地说是一种原位反应制备镥硅氧（Lu2SiO5）块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料，经过球磨机球磨5~50小时，将混合均匀的原料装入石墨模具中，以5~20MPa的压力冷压成型，在通有保护气体（Ar）的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃，升温过程的同时加压15~40MPa，原位反应1~3小时，降温速率为2~15°C/min。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧（Lu2SiO5）块体陶瓷

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150734.9

专利申请（专利权）人：中国科学院金属研究所

专利发明（设计）人：王京阳;田志林

主权项：一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法，其特征在于：1）原料的组成及成分范围以氧化镥粉和二氧化硅粉为原料，合成单相镥硅氧Lu2SiO5块体陶瓷材料，反应物的优选化学计量比为Lu2O3:SiO2=1:（0.8~1.2）；2）制备过程将原料粉按比例混合后，经球磨机球磨5~50小时，将混合均匀的原料装入石墨模具中，以5~20MPa的压力冷压成型，冷压时间5~30分钟，在通有氩气保护气体的热压炉中以2~15°C/min的升温速率加热至1400~1650℃，同时加压15~40MPa，达到目标温度后保温，原位反应1

专利地区：辽宁