一种改进的高热导率电子封装材料专利登记公告

专利名称：一种改进的高热导率电子封装材料

摘要：本发明涉及一种改进的高热导率电子封装材料，通过下述步骤制得：1)选择金刚石和硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；2)将上述组分充分混合均匀后；3)将上述混合物装入石墨容器并放入放电等离子烧结炉；4)在放电等离子烧结炉抽真空，当真空度达到12~15Pa以下开始快速烧结；5）烧结过程中所加压力为35～39MPa，升温速度为80~120℃/分钟，烧结温度设定为1280～1320℃，达到烧结温度后保持4-5分钟，并在真空或惰性气体环境下烧结；6)烧结结束后对产品进行随炉冷却并卸掉压力。其具有设备

专利类型：发明专利

专利号：CN201210188052.7

专利申请（专利权）人：黄凯敏

专利发明（设计）人：黄凯敏

主权项：一种改进的高热导率电子封装材料，其特征在于，其各原子组分的重量比为：C：Si：Ti：Al：N为19.6～30.4：27.2～33.3：0.53~0.93：0.34~0.8：0.17~0.4；并且，该材料通过以下步骤制得：1)选择粒度为18～23μm的金刚石，粒度为40～45μm、纯度在99.?99%的硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；金刚石、硅粉、钛粉、氮化铝的重量份数比为19.6～30.4：27.2～33.3：0.53～0.93：0.5~1.3；2)将上述组分充分混合均匀后；3)选择

专利地区：浙江