堆栈式双晶片封装及其制备方法专利登记公告

专利名称：堆栈式双晶片封装及其制备方法

摘要：本发明堆栈式双晶片封装及其制备方法涉及一个引线框，具有一个带有中间金属化的夹片结构的半导体晶片堆栈。水平突出物从夹片结构开始延伸，以便在制备过程中，确保夹片结构保持水平。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110071600.3

专利申请（专利权）人：万国半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：哈姆扎·依玛兹;张晓天;薛彦迅;安荷·叭剌;鲁军;刘凯;何约瑟;安岳翰

主权项：一种半导体晶片堆栈，其特征在于，该半导体晶片堆栈包含：一个基础引线框；一个通过倒装法安装在所述的基础引线框上方的第一半导体晶片；一个第二半导体晶片，其堆栈在第一半导体晶片上方，即所述的第一半导体晶片与基础引线框相对的一侧；以及一个位于第一和第二半导体晶片之间的夹片结构。

专利地区：美国