垂直沟道晶体管阵列及其制造方法专利登记公告

专利名称：垂直沟道晶体管阵列及其制造方法

摘要：本发明公开一种垂直沟道晶体管阵列及其制作方法。该垂直沟道晶体管阵列包括多条埋入式位线、多条位线接触窗、多个埋入式字线与漏电流隔离结构。多个半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区。多条埋入式位线平行设置于半导体基底中，在行方向延伸。多条位线接触窗分别设置于埋入式位线的一侧。多条埋入式字线，平行设置于埋入式位线上方，在列方向延伸，且隔着栅介电层而连接同一列的半导体柱。漏电流隔离结构设置于埋入式位线末端部分，以避免相邻位线接触窗之间产生漏电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110085789.1

专利申请（专利权）人：力晶科技股份有限公司

专利发明（设计）人：永井享浩

主权项：一种垂直沟道晶体管阵列，包括：多个半导体柱，设置于半导体基底中，排列成行和列的阵列，各半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区；多条埋入式位线，平行设置于该半导体基底中，在行方向延伸，该多条埋入式位线电性连接同一行的该多个半导体柱；多条埋入式字线，平行设置于该多条埋入式位线上方，在列方向延伸，且隔着栅介电层而连接同一列的该多个半导体柱，其中各埋入式字线连接同一列的该多个半导体柱的第一侧面，且一条埋入式字线对应连接一列的该多个半导体柱。

专利地区：台湾