三维存储器结构专利登记公告

专利名称：三维存储器结构

摘要：本发明公开一种三维存储器结构，包括多个堆叠层和多个存储单元。堆叠层在基板上相互平行并以三维排列方式设置，且该多个堆叠层包括多个堆叠记忆层。存储单元包括用以储存数据的第一组存储单元(例如有m个存储单元)和用以储存错误自动检查与更正位的第二组存储单元(例如有n个存储单元)，第一组存储单元和第二组存储单元可同时被读出以执行错误自动检查与更正功能。披露的实施例的三维存储器结构中，用以储存错误自动检查与更正位的存储单元可位于相同或不同的堆叠层。而此披露的实施例亦可透过(但不限制地)垂直栅极式结构，或指状垂直栅极式结

专利类型：发明专利

专利号：CN201110091572.1

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：陈士弘;吕函庭;黄怡仁

主权项：一种三维存储器结构，包括：多个堆叠层，在基板上相互平行并以三维排列方式设置，且该多个堆叠层包括多个堆叠记忆层；和多个存储单元，包括用以储存数据的第一组存储单元和用以储存错误自动检查与更正位的第二组存储单元，且该第一组存储单元位于该多个堆叠记忆层，而该第一组存储单元和该第二组存储单元可同时被读出以执行错误自动检查与更正功能。

专利地区：台湾