透明导电薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：透明导电薄膜及其制备方法

摘要：本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法，涉及液晶显示器制造领域，解决了现有技术制备透明导电薄膜时，原料和设备的成本高，且无法用于液晶显示器件像素电极的制备的问题。本发明实施例以草酸亚锡为原料，并用醋酸和氨水作为络合剂，形成了pH＝6.5～7.5的中性络合体系，还采用了三氟乙酸作为掺杂剂，形成了F离子的稳定掺杂，且掺杂效率高。由于采用了价格便宜的草酸亚锡为原料，并且只需要用涂布和热处理的方法就能在基板上形成需要的透明导电薄膜，因此降低了制备透明导电薄膜的原料和设备成本，且由中性络合体系形成的中性溶胶体系可

专利类型：发明专利

专利号：CN201110117442.0

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：刘同军

主权项：一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将SnC2O4加入醋酸的水溶液中，进行搅拌形成悬浮体系；在所述悬浮体系中加入氨水，进行搅拌形成澄清溶液，所述澄清溶液的pH＝6.5～7.5；在所述澄清溶液中加入三氟乙酸，进行搅拌形成含氟离子的溶胶体系；将所述含氟离子的溶胶体系涂布于基板上，依次进行干燥工艺及热处理工艺，以在所述基板上形成SnO2:F薄膜。

专利地区：北京