半导体制程方法专利登记公告
专利名称：半导体制程方法
摘要：本发明提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110122196.8
专利申请（专利权）人：财团法人交大思源基金会
专利发明（设计）人：吴耀铨;王宝明;萧丰庆
主权项：一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。
专利地区：台湾
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