半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法

摘要：半导体器件和形成牺牲保护层以在单体化期间保护半导体管芯边缘的方法。半导体晶片包含被划片街区分开的多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体晶片上。保护层形成在包括沿划片街区的半导体管芯的边缘的绝缘层上。保护层覆盖半导体晶片的整个表面。可替换地，在划片街区上的保护层中形成开口。绝缘层具有非平面表面且保护层具有平面表面。通过保护层和划片街区将半导体晶片单体化以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘。以保护层为首，将半导体管芯安装到载体。密封剂沉积在半导体管芯和晶片上。载体和保护层被除去。装配互连结构形成在半导体管芯和

专利类型：发明专利

专利号：CN201110058465.9

专利申请（专利权）人：新科金朋有限公司

专利发明（设计）人：林耀剑;陈康;方建敏;冯霞

主权项：?一种制造半导体器件的方法，包括：提供包含被划片街区分开的多个半导体管芯的半导体晶片;在半导体晶片上形成第一绝缘层;沿划片街区在包括半导体管芯的边缘的第一绝缘层上形成保护层;通过保护层和划片街区单体化半导体晶片以分离半导体管芯同时保护半导体管芯的边缘;以保护层为首，将半导体管芯安装到载体;在半导体管芯和载体上沉积密封剂;除去载体和保护层;以及在半导体管芯和密封剂上形成装配互连结构。

专利地区：新加坡