一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板专利登记公告

专利名称：一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板

摘要：本发明公开了一种像素驱动电路及其制备方法及阵列基板，像素驱动电路包括开关TFT和驱动TFT该方法包括：在基板上依次同时制作开关TFT和驱动TFT的栅极、栅绝缘GI层、氧化物半导体层、ESL层；同时开关TFT和驱动TFT的源极/漏极金属，经刻蚀所述开关TFT的漏极金属延伸覆盖在驱动TFT的栅极上方的GI层上；沉积保护层，利用过孔工艺将过孔处的保护层、开关TFT的漏极金属及GI层刻蚀掉，露出驱动TFT的栅极；在过孔处沉积连接开关TFT的漏极及驱动TFT的栅极的氧化铟锡ITO层。本发明增加了背板的开口率且降低了

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054258.0

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：姜春生

主权项：一种像素驱动电路的制备方法，所述像素驱动电路包括开关薄膜场效应晶体管TFT和驱动TFT，其特征在于，包括：在基板上依次同时制作开关TFT和驱动TFT的栅极、栅绝缘GI层、氧化物半导体层、刻蚀阻挡ESL层；同时沉积开关TFT和驱动TFT的源极/漏极金属，经刻蚀所述开关TFT的漏极金属延伸覆盖在驱动TFT的栅极上方的GI层上；沉积保护层，利用过孔工艺将过孔处的保护层、开关TFT的漏极金属及GI层刻蚀掉，露出驱动TFT的栅极；在过孔处沉积连接开关TFT的漏极及驱动TFT的栅极的氧化铟锡ITO层。

专利地区：北京