一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法

摘要：本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体为一种超低k材料薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）为前驱体，通过添加表面活性剂P123、HCl、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液。然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得超低k材料薄膜。通过控制前驱体、表面活性剂、催化剂和溶剂的比例，以及旋涂成膜条件和后处理条件，获得k值在2.1~2.5之间，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为1.5×10-6~3.4×10-9A/cm2，杨氏模量为21.05~24.15GPa，硬度为2.3~2.69GP

专利类型：发明专利

专利号：CN201210187160.2

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：丁士进;孟庆伟;蒋涛;张卫

主权项：?一种超低介电常数材料薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1)?以1，2?二（三乙氧基硅基）乙烷作为前驱体，记为BTEE，以嵌段共聚物P123为表面活性剂，以稀盐酸为催化剂，并加入乙醇作为溶剂，上述物质的摩尔比为：BTEE?:?P123?:?H2O?:?HCl?:?EtOH?=?(3?10)?:?(0.06?0.2)?:?(100?300)?:?(0.09?0.5)?:?(70?250)；（2)?将上述混合物在40?80℃油浴氛围中搅拌1?5小时，得到透明成膜液；（3）将上述成膜液滴到洗净的硅片上，静

专利地区：上海