测试半导体器件的方法和系统专利登记公告
专利名称：测试半导体器件的方法和系统
摘要：本发明提供一种测试半导体器件的方法，包括以下步骤：依次在多个操作模式下测试半导体器件；以及当所述半导体器件通过了测试时，将半导体器件编程为在所述操作模式中的至少一个操作模式下操作。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110123541.X
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：具岐峰;李二范
主权项：一种测试半导体器件的方法，包括以下步骤：依次在多个操作模式下测试所述半导体器件；以及当所述半导体器件通过了测试时，将所述半导体器件编程为在所述操作模式中的至少一个操作模式下操作。
专利地区：韩国
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