制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件专利登记公告

专利名称：制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件

摘要：一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板；形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外，本发明另一实施例提供一种发光二

专利类型：发明专利

专利号：CN201110133003.9

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：夏兴国;余致广

主权项：一种制作发光二极管封装结构的方法，包括：将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各所述发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在所述多个彼此分离的发光二极管芯片与该基板上沉积一隔离层；蚀刻该隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各所述发光二极管芯片的多个部分以及该基板的多个部分；形成多个电性连接结构在该隔离层上以及所述多个导孔开口中，以电性连接各所述发光二极管芯片的该n型掺杂层与该p型掺杂层其中之一与该基板；以及将所述多个彼此分离的发光二极管芯片与该基板切割成多个发光二极管

专利地区：台湾