制造3D非易失性存储器件的方法专利登记公告

专利名称：制造3D非易失性存储器件的方法

摘要：本发明提供一种制造3D非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成次沟道；在衬底之上形成叠层，所述叠层包括与导电层交替层叠的多个层间电介质层；选择性地刻蚀叠层以形成暴露出次沟道的第一开放区；形成主沟道导电层以间隙填充第一开放区；选择性地刻蚀叠层和主沟道导电层以形成限定出多个主沟道的第二开放区；以及形成隔离层以间隙填充第二开放区。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110140015.4

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：周瀚洙;朴梄珍;吴尚炫

主权项：一种制造三维非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成次沟道；在所述衬底之上形成叠层，所述叠层包括与导电层交替层叠的多个层间电介质层；选择性地刻蚀所述叠层，以形成暴露出所述次沟道的第一开放区；形成主沟道导电层以间隙填充所述第一开放区；选择性地刻蚀所述叠层和所述主沟道导电层，以形成限定出多个主沟道的第二开放区；以及形成隔离层以间隙填充所述第二开放区。

专利地区：韩国