ROM器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：ROM器件及其制造方法

摘要：本发明实施例公开了一种ROM器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成埋层图案；以具有埋层图案的硬掩膜层为掩膜在所述基底内形成沟槽；以具有埋层图案的硬掩膜层为掩膜在所述沟槽底部的基底内形成埋层区。本发明所提供的方法，采用硬掩膜层代替传统工艺的光刻胶层，可进一步缩小埋层尺寸；且本发明所提供的方法在所述基底内形成了沟槽，在沟槽底部的基底内注入离子进而形成埋层区，可以一定程度的缓解埋层电阻和埋层间漏电的矛盾。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110054243.X

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：肖莉

主权项：一种ROM器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成埋层图案；以具有埋层图案的硬掩膜层为掩膜在所述基底内形成沟槽；以具有埋层图案的硬掩膜层为掩膜在所述沟槽底部的基底内形成埋层区。

专利地区：江苏