制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：制造半导体器件的方法

摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过刻蚀衬底形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁上形成第一间隔件；通过刻蚀第一沟槽之下的衬底形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁上形成第二间隔件；通过刻蚀第二沟槽之下的衬底形成第三沟槽，所述第三沟槽的宽度比第二间隔件之间的宽度宽；在第三沟槽的表面上形成内衬层；以及通过选择性地去除第二间隔件而暴露出第二沟槽的侧壁中的一个。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110141885.3

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：李相道;金煜

主权项：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过刻蚀衬底形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成第一间隔件；通过刻蚀所述第一沟槽之下的所述衬底来形成第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁上形成第二间隔件；通过刻蚀所述第二沟槽之下的所述衬底来形成第三沟槽，所述第三沟槽的宽度比所述第二间隔件之间的宽度宽；在所述第三沟槽的表面上形成内衬层；以及通过选择性地去除所述第二间隔件而暴露出所述第二沟槽的侧壁中的一个。

专利地区：韩国