制造具有掩埋位线的半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：制造具有掩埋位线的半导体器件的方法

摘要：本发明提供一种制造具有掩埋位线的半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀衬底以形成将有源区分隔开的沟槽；形成绝缘层，所述绝缘层具有使每个有源区的侧壁的一部分开放的开口；形成硅层图案以间隙填充每个沟槽的一部分并覆盖绝缘层中的开口；在硅层图案之上形成金属层；以及形成金属硅化物层作为掩埋位线，其中当金属层与硅层图案反应时形成金属硅化物层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110275121.3

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：黄义晟

主权项：一种制造半导体器件的方法，包括：刻蚀衬底以形成将有源区分隔开的沟槽；形成绝缘层，所述绝缘层具有使每个有源区的侧壁的一部分开放的开口；形成硅层图案以间隙填充每个沟槽的一部分并覆盖所述绝缘层中的所述开口；在所述硅层图案之上形成金属层；以及形成金属硅化物层作为掩埋位线，其中当所述金属层与所述硅层图案反应时形成所述金属硅化物层。

专利地区：韩国