静态随机存储器的制造方法专利登记公告

专利名称：静态随机存储器的制造方法

摘要：一种静态随机存储器的制造方法，所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件，本发明通过在PMOS器件源/漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁，使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源/漏轻掺杂区之间的距离减小，改善NMOS器件的电性，使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配，提高了所制造静态随机存储器的良品率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593192.3

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：刘焕新;宋伟基

主权项：一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和PMOS器件区上分别形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧形成有侧壁间隙壁；以PMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在PMOS器件区进行P型轻掺杂离子注入；湿法清洗所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧的侧壁间隙壁；以NMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在NMOS器件区进行N型轻掺杂离子注入。

专利地区：北京