超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法专利登记公告
专利名称：超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。超级结MOSFET并联肖特基二极管的结构，利用肖特基二极管的快速开关特性提高超级结MOSFET器件的反向恢复速度。
专利类型：发明专利
专利号：CN201010605854.4
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：邱慈云;张帅;刘坤
主权项：一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，其特征在于：在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。
专利地区：上海
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