半导体封装及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体封装及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459218.X

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：崔银景;郑世泳;崔光喆;闵台洪;李忠善;金晶焕

主权项：一种制造半导体层叠封装的方法，该方法包括：在包括第一半导体芯片的晶片上方提供多个分离的第二半导体芯片；形成接触所述第二半导体芯片的所述顶表面的至少一部分的散热层；以及其后，从所述晶片分割所述多个第一半导体芯片以形成多个芯片叠层，其中所述多个分离的第二半导体芯片层叠在所述分割后的第一半导体芯片中的相应的第一半导体芯片上。

专利地区：韩国