防裂结构专利登记公告

专利名称：防裂结构

摘要：本发明提供了一种防裂结构，位于晶片切割道内的半导体衬底上，沿所述切割道将晶片间隔成多个芯片，该结构沿芯片边长方向呈平行排列的两条线，每条线由上下交替排列的金属线和连接孔线构成，其中在切割道上交替排列的每一对金属线和连接孔线与芯片上的各层相对应设置。采用本发明的防裂结构同时克服研磨芯片上的各材料层不平坦以及芯片在切割时容易被破坏的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010610019.X

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：卑多慧

主权项：一种防裂结构，位于晶片切割道内的半导体衬底上，沿所述切割道将晶片间隔成多个芯片，其特征在于，该结构沿芯片边长方向呈平行排列的两条线，每条线由上下交替排列的金属线和连接孔线构成，其中在切割道上交替排列的每一对金属线和连接孔线与芯片上的各层相对应设置。

专利地区：上海