集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法专利登记公告

专利名称：集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法

摘要：一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110155033.X

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：姜婷;吴远大;王玥;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟

主权项：一种集成光波导马赫?泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一SOI基片，该SOI基片包括硅衬底、二氧化硅和顶层硅；步骤2：在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；步骤3：利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；步骤4：利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；步骤5：再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；步骤6：利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；步骤7：对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；步骤8：利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；步骤9：对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；步骤10：在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。

专利地区：北京