模板、其制造方法及制造半导体发光器件的方法专利登记公告

专利名称：模板、其制造方法及制造半导体发光器件的方法

摘要：本发明公开了一种制造模板的方法。所述方法包括：在基底上生长包含第III族材料的第一氮化物层；在第一氮化物层上形成与第一氮化物层具有不同刻蚀特性的多个刻蚀阻障区；通过利用氯化物基气体按照刻蚀阻障区的图案刻蚀第一氮化物层，形成柱状纳米结构；以及通过在纳米结构的顶部上生长第二氮化物层，形成其中形成有多个空隙的氮化物缓冲层。本发明还公开了一种利用模板制造氮化物基半导体发光器件的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110158083.3

专利申请（专利权）人：半材料株式会社;朴健

专利发明（设计）人：吴忠锡;张成焕;奠镐壹;朴治权;朴健

主权项：一种包括氮化物缓冲层的模板，其特征在于，所述模板包括：基底；以及形成在所述基底上的具有多个空隙的结构的氮化物缓冲层，其中，所述氮化物缓冲层包括在上侧形成多个纳米结构的第一氮化物层，在所述多个纳米结构的顶上形成屋顶结构的第二氮化物层，并且在所述多个纳米结构的上部形成刻蚀特性与相邻部分不同的多个刻蚀阻障区。

专利地区：韩国