半导体发光装置专利登记公告

专利名称：半导体发光装置

摘要：在此公开了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：导电基底；p型半导体层，设置在导电基底上；活性层，设置在p型半导体层上；n型半导体层，设置在活性层上；n侧电极，设置在n型半导体层上并包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210008356.0

专利申请（专利权）人：三星LED株式会社

专利发明（设计）人：金台勋;崔丞佑;张泰盛

主权项：一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：导电基底；p型半导体层，设置在导电基底上；活性层，设置在p型半导体层上；n型半导体层，设置在活性层上；n侧电极，设置在n型半导体层上并包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

专利地区：韩国

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